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特点

  • 能实现目前为止SPXO无法达到的高精度频率
  • 可以作为中精度的TCXO使用(±50ppm, -40~+85℃)
    ※如有想达到的温度范围以及频率精度,可联系我司人员
  • 晶体振荡回路内置,并已完成频率调整,无需再做电路匹配
  • Pb Free
  • 规定电压应用中保证起振

 

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基本规格

项目 记号 规格
公称频率 f_nom 32.768kHz
频率容许偏差 f_tol ±3 x 10-6  +25℃,VCC=3.3 V
温度带频率特性 f0_Tc ±50 x 10-6  -40~+85℃ (+25℃ is reference)
电源电压 Vcc 1.3~5.5V (*1)
温度补偿电压 VTEM 2.0~5.5V
电流消耗 Icc 1.0μA Typ.
(2.0μA Max.)
 3.3V,No load condition
占空比 SYM 50±10%  Load:15pF
上升时间/下降时间 tr/tf 50ns Max. Load:15pF

Output level 20~80%

输出电容  CLOUT  15pF Max.  CMOS Loading
频率老化程度 f_age ±3 x 10-6/Year
工作温度范围 T_use −40ºC to +85ºC
保存温度范围 T_stg −55ºC to +125ºC

(*1) 变为低于2V时,频率温度补偿动作不动作

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与MCU电路连接的例子