主要設備

 

集束イオンビーム加工装置
FIB

*特徴

  • 断面観察
    • 高分子材料(フィルムなど)の低損傷加工が可能
    • 有機多層膜の観察が可能
  • 配線修正
    • アシストガスによる高アスペクトエッチング(XeF、Eガス)
    • デポジション(タングステン、カーボン、シリコン酸化物)
    • 8インチウェハ対応
  • ナノ精度での立体構造物作製
    • ダイヤモンドやサファイアなど硬質材料における微細加工
  • TEM用薄片試料作製
    • マイクロサンプリング法、リフトアウト法による作製

*原理と仕様

集束イオンビーム(FIB)では、集束させたGa+イオンビームを試料表面で走査させることにより、観察や加工(エッチング・デポジション)が可能となります。

原理

原理(断面加工・観察)

試料サイズ 外形:標準:50mm以下、大型:8インチφ
厚さ:6mm以下
加工サイズ 断面加工:幅20μm×深さ5μm(標準)
TEM薄片化試料:厚さ100nm以下

仕様

走査型プローブ顕微鏡
SPM(AFM、DFM、C-AFM、KFM、EFM、LM-FFM、VE-AFM、PRM、温度可変、SISモードほか)

*特徴

  • 環境制御測定(温度可変、電圧印加、真空)
    • 試料温度可変:-120℃~300℃
    • 試料印加電圧:最大±100【V】
  • ナノ物性測定
    • 導電性(C-AFM)、表面電位・静電気力(KFM、EFM)、圧電変位(PRM)
  • 高精度形状・物性測定(SISモード)
    • 試料表面の影響(大きな凹凸、吸着、静電気等)に対して安定で高精度な測定が可能
  • 平滑な試料面の作製によるAFM観察(前処理技術)
    • イオンミリング断面加工、クライオミクロトーム加工

*原理と仕様

走査型プローブ顕微鏡とは、探針と試料表面の間に働く様々な物理的相互作用を検出し、微小領域の表面形状観察、電気・機械物性計測を行う装置です。

原理

原理

試料サイズ 外形:25mmΦ以下
厚さ:8mm以下
測定範囲 20μm×20μm エリア:高低差1.5μm以内
150μm×150μm エリア:高低差5μm以内
測定モード 形状:AFM、DFM、SISモード
物性:C-AFM、KFM、EFM、PRM、Phase、FFM、VE-AFM
環境制御:温度-120℃~300℃、電圧印加 最大±100V、真空

仕様

熱分析
DSC、TG/DTA、TMA

*特徴

  • 高温対応 最高1500℃
    • DSC、TG/DTA、TMAモードにて対応
  • 解析技術と技術コンサルティング
    • 樹脂の硬化特性解析:kamalモデル式からのパラメータ算出
    • 長時間変形予測:マスターカーブからの長時間クリープ変形量予測
    • 熱分析結果の速度論解析:劣化時間、反応率の推定

*原理と仕様

熱分析とは、物質の温度を変化させながら、その物質のある物理的性質の温度依存を測定する技法です。

  • DSC:試料の融解、ガラス転移、結晶化、熱硬化等の転移、さらには熱履歴、比熱、純度
  • TG/DTA:試料の酸化、熱分解、脱水等による重量変化、耐熱性の評価、反応速度の分
  • TMA:試料の膨張率、ガラス転移、軟化点の測定
  • DMA:貯蔵弾性率、損失弾性率等、損失正接等の温度依存性、周波数依存性の測定
温度範囲 DSC:-150℃~1500℃ 昇温速度:0.01~100℃/min
TG/DTA:室温~1500℃ 昇温速度:0.01~100℃/min
TMA:-150℃~1500℃ 昇温速度:0.01~100℃/min
DMA:-150℃~600℃ 昇温速度:0.01~20℃/min
*低昇温速度は別途ご相談下さい
測定雰囲気 大気/N2/Ar
試料量 別途お問い合わせ下さい

仕様

オージェ電子分光分析/X線光電子分光分析
AES/XPS

*特徴

  • 面分析(マッピング)、深さ方向(デプス)分析が可能
  • 複合装置のため、最大効率での多様なアプローチが可能

*原理と仕様

  • AES:試料表面に細く絞った電子線を照射し、試料表面から放出されるオージェ電子の 運動エネルギーを計測することで、極表面(数nm)の組成を分析する手法です。
    イオンスパッタリング法や二次電子像観察などを組み合わせ、固体表面微小領域の二次元、三次元的な元素の分布形態などを調べることができます。
  • XPS:試料表面にX線を照射して、試料表面から放出される光電子の運動エネルギーを計測することで、極表面(数nm)の組成や化学結合状態を分析する手法です。
    試料が絶縁物でも前処理の必要はありません。
原理

原理

試料サイズ 外形:25mmΦ以下
厚さ:7mm以下
分析範囲 外AES:1μm以上
XPS:30μm以上
分析機能 定性分析
線分析、面分析
デプスプロファイル

仕様

蛍光X線分析
XRF

蛍光X線分析は、試料にX線を入射したとき、試料から放出される蛍光X線のエネルギー値を解析して、元素の種類を調べる方法です。 材料調査や有害規制物質(RoHS関連)のスクリーニング測定などに幅広く用いられています。

走査電子顕微鏡
SEM

走査電子顕微鏡は、電子線を利用して試料表面の凹凸や形態を観察する顕微鏡です。光学顕微鏡とは異なり、電子線を試料表面に照射させ、発生した二次電子や反射電子を検出して、試料表面の微細形状と組成情報を観察できます。画像としては、低倍率(×5)~30万倍の観察が可能です。

低真空型走査電子顕微鏡
低真空SEM

低真空型走査電子顕微鏡は、試料の前処理を行うことなく、低真空雰囲気下で二次電子像を観察できる顕微鏡です。同一視野の二次電子像と反射電子像を合成して表示させることで、試料表面の微細形状と組成情報を同時に観察できます。さらには、エネルギー分散形X線検出による、試料表面の定性分析、元素マッピング分析を行うことも可能です。

電界放出形走査電子顕微鏡
FE-SEM、EDS、EBSD

電界放出形走査電子顕微鏡は、電子源として電界放出形(FE:Field Emission)を所有し、1nm以下の高分解能観察が可能なSEMです。低加速電圧と複数の検出器によるエネルギー選別より、試料最表面の観察も可能です。さらには、エネルギー分散形X線検出器による、試料表面の定性分析、元素マッピング分析を行うこと、EBSDによる結晶方位解析も可能です。

電子線後方散乱回折法
EBSD

*特徴

  • 微小領域での結晶粒径、相構造に関する分析が可能
  • 実装部などの微小部における残留応力の評価が可能(約50μmでの解析事例あり)

*原理と仕様

大きく傾斜した試料に電子線を照射すると、結晶方位に応じた回折パターンが発生し、 このパターンを解析することで、結晶径や結晶方位の情報を取得する分析手法です。

原理

原理

試料サイズ φ32mm以内、高さ4mm以内
分析範囲 1μm~1mm程度、深さ50nm程度
分析機能 結晶粒径、結晶相構造、結晶方位解析

仕様

透過型電子顕微鏡
TEM、STEM、EDS

*特徴

  • ナノメートルサイズでの微細構造観察が可能
  • 装置内で0~90°の試料傾斜が可能、半導体IC等の故障解析において不良原因箇所の特定に有効
  • STEM/EDS機能による物質同定
  • 高精度な前処理技術(FIB加工⇒イオンスライサー加工)

*原理と仕様

  • TEM:厚さ100nm以下の薄片試料に対し、電子線を照射した時の透過電子や散乱電子等を結像することで、試料の結晶性に関する情報を取得する。
  • TEM:細く絞った電子線を試料上で走査することで、試料の組成に関する情報(原子番号を反映したコントラスト像)が取得できる。
原理

TEM原理

前処理 FIBによる薄片化(厚さ100nm以下)
イオンスライサ(ダメージを低減した加工)
分析範囲 ナノメートルオーダーの高分解能観察
STEMによる高分解能元素分析

仕様

イオンミリング断面加工
CP、IM

*特徴

  • 加工ダメージの少ない平滑面の作製が可能
  • 試料冷却(クライオ)による熱影響を低減した加工が可能
  • 約1mmの領域で加工面を作製することが可能

*原理と仕様

試料直上に遮蔽板をセットし、ブロードなアルゴンイオンビームを照射することで、遮蔽板から突き出した部分をミリング加工する。

原理

原理

試料サイズ 外形:8mm以内
厚さ:3m以下
加工範囲 1mm程度
加工精度 ±20μm

仕様

フーリエ変換赤外分光分析
FT-IR

有機化合物および一部の無機化合物の分子構造、組成の解析を行い、主に未知試料の同定に用います。 顕微鏡ユニットで赤外光を絞り込み、微小試料の測定も可能です。

軟X線透視観察
X-CT

試料にX線を照射することで、試料を加工することなく、非破壊にて試料内部構造を観察することが可能です。