新規分析装置「高周波グロー放電発光表面分析装置 GD-OES」を導入致しました。

  • Arプラズマのスパッタリングにより、試料表面から原子を放出させその原子を励起し発光させることで、深さ方向の元素分析を行う分析装置になります。
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  • 迅速にかつ最大100μmの深さまで元素分析評価が可能なことが特徴です。
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  • 分析対象としては、薄膜(多層膜)、めっき、表面処理等の幅広い利用が可能となり、非導電性試料の分析も可能です。

分析事例:めっき基板の洗浄評価(GD-OES測定)をご参照ください。

分析のご依頼、ご相談をお待ちしております。