SIIでは、次世代大容量ストレージへの応用が期待される近接場光素子を開発しています。光の波長よりもはるかに小さな領域に局在させた近接場光によって、記録ディスク表面のナノサイズ領域を瞬間的に加熱し、同時に磁極が発生する磁場によって、1平方インチあたり数テラビット（現在のハードディスク装置の約10倍）をはるかに越えるという、次世代の超大容量ハードディスク装置の実現が可能になります。

SIIは、ストレージ関連の製品としては、ピボットやモータ部品などのハードディスク用部品を開発・製造していますが、将来に向け、SIIが保有する走査型近接場顕微鏡の技術を応用し、次世代大容量ハードディスク用近接場光素子という新たな可能性を開拓しようと考えています。

図は、ハードディスク装置のヘッド先端部に作製する近接場光素子の電子顕微鏡写真と、近接場光素子が発生するナノサイズの熱分布をSII製の走査型プローブ顕微鏡によって観察した像です。レーザ光源からの光を、スポットサイズを縮小する機能を持つ特殊な光導波路によって集光させた後、さらに光波長の数十分の一というナノ領域に熱を発生させることができます。この熱スポットのアシストを受けて超高密度な情報記録が可能になります。