▶︎ 内置晶体振荡器中，世界上最低的电流消耗0.35㎂ typ.(VDD=1.8V)
▶︎ 小型（2.0×1.2mm）
▶︎ 完全无铅化
▶︎ 内置了高信赖性，经过光刻技术加工的石英晶振
▶︎ 小型（2.0×1.2mm）
▶︎ 完全无铅化
▶︎ 内置了高信赖性，经过光刻技术加工的石英晶振
Quartz
Quartz
| 项目 |
记号 | 规格 |
条件 |
|---|---|---|---|
| 公称频率 | f_nom | 32.768kHz | |
| 频率容许偏差 | f_tol | ±20 x 10-6 | |
| 电源电压 |
VDD | 1.2～5.5V | |
| 保存温度范围 | T_stg | -55 〜 +125ºC | |
| 工作温度范围 |
T_use | -40 〜 +85ºC | |
| 顶点温度 |
Ti | +25±5ºC | |
| 二次温度系数 | β | (−0.030±10%) x 10-6/ºC2 | |
| 频率电源电压特性 | f0_VDD | ±1×10-6/V | VDD=1.2～5.5V |
| 消耗电流 | IDD |
0.35 typ. / 0.65 max. μA | VDD=1.8V, No load condition |
| 0.50 typ. / 0.80 max. μA | VDD=3.3V, No load condition |
||
| 待机时消耗电流 |
IDD2 | 0.25 typ. / 0.60 max. μA | VDD=1.2 to 5.5V,
No load condition |
| 占空比 |
SYM | 50±10 % | Load：15pF |
| 上升时间/下降时间 | tr/tf | 200ns Max. | Load：15pF output level 10 to 90% |
| 输入电压等级 | VIL | 0.2VDD max. V | INHN terminal |
| VIH | 0.8VDD min. V | INHN terminal | |
| 输出电压等级 | VoL | 0.4 max. V | Q terminal |
| VoH | VDD-0.4 min. V | Q terminal | |
| 输出电容 | CLOUT | 15 max. pF | CMOS Loading |
| 振荡开始时间 | t_str | 0.15 Typ. / 0.50 max. | VDD=1.2～5.5V |
| 频率老化程度 |
f_aging | ±3 x 10-6 | First year |
※无特殊注明（条件）时，其特性值（规格）的条件为Ta=+25℃±3℃、VDD=3.3V±10％。
