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特長

  • 従来のSPXOにない高精度な周波数精度を実現
  • 中精度のTCXOとして使用可能(±50ppm, -40~+85℃)
    ※ご要望の温度範囲と周波数精度がございましたらお問い合わせ下さい
  • 低消費電流
  • 発振回路内蔵、周波数調整済のため回路マッチング不要
  • Pbフリー
  • 規定電圧印加で発振保証

 

 

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仕様

項目 記号 仕様 条件
公称周波数 f_nom 32.768kHz
周波数許容偏差 f_tol ±3 x 10-6 +25℃,VDD=3.3 V
周波数許容偏差 f0-Tc ±50 x 10-6 -40~+85℃(+25℃基準)
動作電圧 VDD 1.3~3.63V (*1)
温度補償電圧 VTEM 1.5~3.63V
消費電流 IDD 1.3μA Typ.

2.5μA Max.

VDD=3.3V,無負荷
波形シンメトリ SYM 40/60 30pF負荷
立上り/立下り時間 tr/tf 40ns Max. 30pF負荷

出力レベル10~90%

出力負荷容量 CLOUT 30pF Max. CMOS負荷
周波数経時変化 f_age ±3 x 10-6/年 +25℃,VDD=3.3V,初年度
動作温度範囲 T_use -40 〜 +85ºC
保存温度範囲 T_stg -55 〜 +125ºC

※特記(条件)なき場合は、特性値(仕様)は動作温度、電源電圧範囲内の規格です。

(*1) 1.5V未満になった時には、周波数温度補償動作は非動作となります